FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):44 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 15V
功率 - 最大值:1.4W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3L
品牌 | AOC(万代) | 型号 | AO3401A-2C2 | 种类 | 绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 | P沟道 | 导电方式 | 增强型 | 用途 | V-FET/V型槽MOS |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 | 是否跨境出口专供货源 | 否 |
货号 | AO3401 | 批号 | 21+ | 封装 | SOT-23-3 |
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